- Código RS:
- 194-530P
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS
650 Disponível para entrega em 24/48 horas
Preço Unidade (fornecido em tubo)
7,29 €
Unidades | Por unidade |
5 - 9 | 7,29 € |
10 - 14 | 7,08 € |
15 - 19 | 7,00 € |
20 + | 6,92 € |
- Código RS:
- 194-530P
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 26 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Tipo de Encapsulado | TO-247 |
Serie | HiperFET, Polar |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 230 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 5.5V |
Disipación de Potencia Máxima | 400 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
Longitud | 16.26mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 60 nC a 10 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Material del transistor | Si |
Ancho | 5.3mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 21.46mm |
- Código RS:
- 194-530P
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS