MOSFET IXYS IXFH26N50P, VDSS 500 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 194-530
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS
1 Disponível para entrega em 24/48 horas
191 Disponível para entrega em 24/48 horas
Preço unitário
7,45 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 4 | 7,45 € |
| 5 - 9 | 7,29 € |
| 10 - 14 | 7,08 € |
| 15 - 19 | 7,00 € |
| 20 + | 6,92 € |
- Código RS:
- 194-530
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 26 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 230 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5.5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 400 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 60 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 5.3mm |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 16.26mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 21.46mm |
- Código RS:
- 194-530
- Referência do fabricante:
- IXFH26N50P
- Fabricante:
- IXYS