MOSFET IXYS IXFN82N60P, VDSS 600 V, ID 72 A, SOT-227 de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 194-130
- Referência do fabricante:
- IXFN82N60P
- Fabricante:
- IXYS
Temporariamente fora de stock. Disponível a 11/11/2024, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Preço unitário
38,35 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 1 | 38,35 € |
| 2 - 4 | 37,20 € |
| 5 + | 36,44 € |
- Código RS:
- 194-130
- Referência do fabricante:
- IXFN82N60P
- Fabricante:
- IXYS
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 72 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-227 |
| Serie | HiperFET, Polar |
| Tipo de Montaje | Montaje roscado |
| Conteo de Pines | 4 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 75 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,04 kW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 38.2mm |
| Ancho | 25.07mm |
| Material del transistor | Si |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 240 nC a 10 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Altura | 9.6mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 194-130
- Referência do fabricante:
- IXFN82N60P
- Fabricante:
- IXYS