Módulo IGBT, 1MBi400V-120-50, Único, 400 A, 1.200 V, N-Canal, M153, 4-Pines Simple

  • Código RS 747-1134
  • Referência do fabricante 1MBi400V-120-50
  • Fabricante Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric

Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH

IGBT discretos y módulos, Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Corriente Máxima Continua del Colector 400 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Canal N
Tipo de Montaje Montaje en panel
Tipo de Encapsulado M153
Conteo de Pines 4
Disipación de Potencia Máxima 2,41 kW
Dimensiones 108 x 62 x 36mm
Altura 36mm
Longitud 108mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Ancho 62mm
Produto Descatalogado