Módulo IGBT, SKM150GB12T4 , Medio puente doble, 232 A, 1.200 V, N-Canal, SEMITRANS2, 7-Pines Serie
- Código RS 687-4964
- Referência do fabricante SKM150GB12T4
- Fabricante Semikron
Módulos IGBT dobles
Una gama de módulos IGBT SEMITOP® de Semikron que incorpora dos dispositivos IGBT conectados en serie (medio puente). Los módulos están disponibles en una amplia gama de tensiones y corrientes nominales y son adecuados para una gran variedad de aplicaciones de conmutación de potencia como variadores de velocidad de motores de inversor ac y fuentes de alimentación ininterrumpida.
Encapsulado SEMITOP® compacto
Adecuado para frecuencias de conmutación de hasta 12 kHz
Placa base de cobre aislado mediante tecnología de cobre de unión directa
Módulos IGBT, Semikron
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Configuración de transistor | Serie |
| Configuración | Medio puente doble |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 232 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Tipo de Canal | N |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Encapsulado | SEMITRANS2 |
| Conteo de Pines | 7 |
| Dimensiones | 94 x 34 x 30.1mm |
| Altura | 30.1mm |
| Longitud | 94mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Ancho | 34mm |
