Módulo IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, Único, 200 A, 1.200 V, N-Canal, M259, 7-Pines

  • Código RS 168-4641
  • Referência do fabricante 1MBI200U4H-120L-50
  • Fabricante Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem): MY
Detalhes do produto

Módulos IGBT de 1 paquetes, Fuji Electric

Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
IGBT Chopper de alta velocidad plano-NPT serie HH

IGBT discretos y módulos, Fuji Electric

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Configuración de transistor Simple
Configuración Único
Corriente Máxima Continua del Colector 200 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Canal N
Tipo de Montaje Montaje en panel
Tipo de Encapsulado M259
Conteo de Pines 7
Disipación de Potencia Máxima 1,04 kW
Dimensiones 108 x 62 x 30mm
Altura 30mm
Longitud 108mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
Ancho 62mm
10 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em caixa de 10)
144,10
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Caixa*
10 +
144,10 €
1.441,00 €
*preço indicativo