Módulo IGBT, 2MBI150U4A-120-50, Serie, 150 A, 1.200 V, N-Canal, M232, 7-Pines
- Código RS 168-4539
- Referência do fabricante 2MBI150U4A-120-50
- Fabricante Fuji Electric
Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Configuración de transistor | Serie |
| Configuración | Serie |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Tipo de Canal | N |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel |
| Tipo de Encapsulado | M232 |
| Conteo de Pines | 7 |
| Disipación de Potencia Máxima | 735 W |
| Dimensiones | 92 x 34 x 30mm |
| Altura | 30mm |
| Longitud | 92mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Ancho | 34mm |
