Módulo IGBT, MUBW50-06A7, Puente trifásico, 75 A, 600 V, N-Canal, 23-Pines Trifásico

  • Código RS 146-1698
  • Referência do fabricante MUBW50-06A7
  • Fabricante IXYS
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

Módulos IGBT, IXYS

IGBT discretos y módulos, IXYS

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Configuración Puente trifásico
Configuración de transistor Trifásico
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Canal N
Tipo de Montaje Montaje en PCB
Conteo de Pines 23
Dimensiones 107.5 x 45 x 17mm
Altura 17mm
Longitud 107.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento +125 °C
Ancho 45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C
24 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em caixa de 6)
64,30
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Caixa*
6 - 24
64,30 €
385,80 €
30 - 54
59,477 €
356,862 €
60 +
57,485 €
344,91 €
*preço indicativo