Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 1Mbit, 64k x 16 bits, 1MHZ, TSOP II-44, VCC máx. 3,6 V

Alta velocidad: 45 ns
Rangos de temperatura
Industrial: De –40 °C a +85 °C.
Automotive-A: De –40 °C a +85 °C.
Automoción-E: De –40 °C a +125 °C.
Amplio rango de tensión: De 2.2 V a 3.6 V.
PIN compatible con CY62126DV30
Potencia de espera ultra baja
Corriente de espera típica: 1 A
Corriente máxima en espera: 4 A.
Potencia activa ultrabaja
Corriente activa típica: 1.3 mA a f = 1 MHz
Fácil expansión de memoria con las funciones CE y OE
Apagado automático cuando se anula la selección
Semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) para una velocidad y potencia óptimas
Se ofrece en paquetes de 44 bolas de paso muy fino sin Pb (VFBGA) y de 48 pines con encapsulado de contorno pequeño fino (TSOP) II