Memoria SRAM Infineon, 1Mbit, 128k x 8 bits, 104MHZ, SOIC-16, VCC máx. 2.6 V
- Código RS:
- 181-8270
- Referência do fabricante:
- CY14B101PA-SFXI
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 181-8270
- Referência do fabricante:
- CY14B101PA-SFXI
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tamaño de la Memoria | 1Mbit | |
| Organización | 128k x 8 bits | |
| Número de Palabras | 128k | |
| Número de Bits de Palabra | 8bit | |
| Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 15ns | |
| Frecuencia de Reloj | 104MHZ | |
| Baja Potencia | Sí | |
| Tipo de Temporizador | Síncrono | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Tipo de Encapsulado | SOIC | |
| Conteo de Pines | 16 | |
| Dimensiones | 10.49 x 7.59 x 2.36mm | |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 2.6 V | |
| Altura | 2.36mm | |
| Ancho | 7.59mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C | |
| Longitud | 10.49mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C | |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2.4 V | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tamaño de la Memoria 1Mbit | ||
Organización 128k x 8 bits | ||
Número de Palabras 128k | ||
Número de Bits de Palabra 8bit | ||
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo 15ns | ||
Frecuencia de Reloj 104MHZ | ||
Baja Potencia Sí | ||
Tipo de Temporizador Síncrono | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Tipo de Encapsulado SOIC | ||
Conteo de Pines 16 | ||
Dimensiones 10.49 x 7.59 x 2.36mm | ||
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento 2.6 V | ||
Altura 2.36mm | ||
Ancho 7.59mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +85 °C | ||
Longitud 10.49mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40 °C | ||
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima 2.4 V | ||
The Cypress CY14X101PA combines a 1-Mbit nv SRAM[1] with a full-featured RTC in a monolithic integrated circuit with serial SPI interface. The memory is organized as 128K words of 8 bits each. The embedded nonvolatile elements incorporate the Quantum Trap technology, creating the worlds most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while the Quantum Trap cells provide highly reliable nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile elements (STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation).You can also initiate the STORE and RECALL operations through SPI instruction.
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