SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 5,5 V

Código RS:: 124-2941
Referência do fabricante:: CY62148ELL-55SXI
Fabricante:: Infineon

SRAM Infineon, 4Mbit, 512k x 8 bits, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 5,5 V

Temporariamente fora de stock. Disponível a 25/03/2024, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Adicionado

Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 2)

7,85 €

unidades	Por unidade	Por Pack*
2 - 8	7,85 €	15,70 €
10 - 18	7,64 €	15,28 €
20 - 98	7,435 €	14,87 €
100 - 498	7,235 €	14,47 €
500 +	7,065 €	14,13 €
*preço indicativo

Opções de embalagem:

Formato standard

Formato de produção industrial

Código RS:: 124-2941
Referência do fabricante:: CY62148ELL-55SXI
Fabricante:: Infineon

Documentação Técnica

CY62148ELL-55SXI-Cypress-Semiconductor

Schematic Symbol & PCB Footprint

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Memoria SRAM de micropotencia (MoBL) asíncrona, Cypress Semiconductor

Los dispositivos de memoria SRAM de baja tensión MoBL disponen de alta eficiencia y ofrecen especificaciones de disipación de potencia (máxima) en espera líderes del sector.

SRAM (memoria de acceso aleatorio estática)

Especificações

Atributo	Valor
Tamaño de la Memoria	4Mbit
Organización	512k x 8 bits
Número de Palabras	512k
Número de Bits de Palabra	8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo	45ns
Ancho del Bus de Direcciones	8bit
Frecuencia de Reloj	1MHZ
Baja Potencia	Sí
Tipo de Temporizador	Asíncrono
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Tipo de Encapsulado	SOIC
Conteo de Pines	32
Dimensiones	20.75 x 11.43 x 2.81mm
Altura	2.81mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento	5,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Longitud	20.75mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C
Ancho	11.43mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima	4,5 V