Memoria SuperFlash® en paralelo SST39SF010A/020A/040
Los dispositivos de la gama SST39SF010A/020A/040 de Microchip son CI de memoria en paralelo SuperFlash® para múltiples usos.
Características
Operaciones de lectura y escritura de 4,5-5,5 V Duración: 100.000 ciclos (típico) Bajo consumo de potencia: corriente activa de 10 mA, corriente en standby de 30 μA (valores típicos a 14 MHz) Capacidad de borrado de sector: sectores uniformes de 4 Kbytes Tiempo de acceso de lectura: 55 a 70 ns Tiempo de borrado de sector: 18 ms Tiempo de borrado de chip: 70 ms (típico) Tiempo de programas de bytes: 14 μs (típico) Tiempo de reescritura de chip: SST39SF010A de 2 segundos, SST39SF020A de 4 segundos, SST39SF040 de 8 segundos (valores típicos) Datos y direcciones con bloqueo Temporización de escritura automática: generación interna de VPP Detección de fin de escritura, bit basculador, sondeo de datos Compatibilidad con E/S TTL JEDEC estándar - conjuntos de comandos y configuraciones de pines Flash EEPROM
