Memoria flash, CFI S29GL512S11TFIV20 512Mbit, 64M x 8 bits, 110ns, TSOP, 56 pines

Núcleo CMOS de 3.0 voltios con E/S Versátil
Tecnología Eclipse MirrorBit de 65
Alimentación única (VCC) para lectura / programa / borrado (2.7 V a 3.6 V)
Función de E/S versátil
Amplio rango de tensión de E/S (vio): 1.65 V a VCC
´16 bus de datos
Lectura de página asincrónica de 32 bytes
Búfer de programación de 512 bytes
Programación en múltiplos de páginas, hasta un máximo de 512 bytes
Una sola palabra y varios programas en las mismas opciones de palabra
Comprobación y corrección automática de errores (ECC)
ECC de hardware interno con corrección de errores de un bit
Borrado De Sector
Sectores uniformes de 128 Kb
Comandos Suspender y Reanudar para las operaciones Programa y Borrar
Registro de estado, Sondeo de datos y métodos PIN de listo/Ocupado para determinar el estado del dispositivo
Protección Advanced Sector (Asp)
Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
Matriz independiente de un programa De Tiempo (OTP) de 1024 bytes con dos regiones bloqueables
Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI)
Rango De Temperatura / Grado
Industrial (-40 °C a +85 °C)
Industrial Plus (-40 °C a +105 °C)
100,000 Programar / Borrar Ciclos
20 Años De Retención De Datos
Opciones De Embalaje
TSOP de 56 pines
LAA de 64 bolas BGA fortificada, 13 mm ´ 11 mm
LAE de 64 bolas BGA fortificada, 9 mm ´ 9 mm
BGA fortificada VBU de 56 bolas, 9 mm ´ 7 mm