Memoria flash, CFI S29GL064N90FFI010 64Mbit, 8M x 8 bits, 90ns, BGA, 64 pines

La familia de dispositivos S29GL-N es una memoria Flash de una potencia de 3,0 V fabricada con tecnología MirrorBit de 110 nm. TheS29GL064N es un dispositivo de 64 MB organizado como 4.194.304 palabras o 8.388.608 bytes. Dependiendo del número de modelo, los dispositivos tienen sólo un bus de datos de 16 bits de ancho o un bus de datos de 16 bits de ancho que también puede funcionar como un bus de datos de 8 bits de ancho utilizando la entrada BYTE#. Los dispositivos pueden programarse en el sistema principal o en programadores EPROM estándar. Hay disponibles tiempos de acceso tan rápidos como 90 ns. Cada tiempo de acceso tiene un VCC específico. Las ofertas de paquetes incluyen TSOP de 48 pines, TSOP de 56 pines, BGA de paso fino de 48 bolas y BGA fortificada de 64 bolas, dependiendo del número de modelo. Cada dispositivo tiene controles independientes de activación de chip, activación de escritura y activación de salida.

Cada dispositivo requiere sólo una fuente de alimentación de 3,0 V para las funciones de lectura y escritura. Además de una entrada VCC, una función de programa acelerado de alto voltaje proporciona tiempos de programación más cortos a través de un aumento de tensión en la entrada WP#/ACC o ACC. Esta función facilita el rendimiento de fábrica durante la producción del sistema, pero también se puede utilizar en el campo si se desea. Los comandos se escriben en el dispositivo mediante el tiempo de escritura del microprocesador estándar. Los ciclos de escritura también bloquean internamente las direcciones y los datos necesarios para las operaciones de programación y borrado.