Memoria FRAM Cypress Semiconductor CY15B004Q-SXE, 8 pines, SOIC, Serie SPI, 4kbit, 512K x 8 bits, 3 V a 3,6 V

Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM es no volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 121 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad del nivel del sistema causados por memorias flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. A diferencia de la memoria flash serie y la EEPROM, el CY15B004Q realiza operaciones de escritura a velocidad de bus. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de autobús puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial. El CY15B004Q es capaz de admitir 1013 ciclos de lectura/escritura, o 10 millones de veces más ciclos de escritura que EEPROM. Estas capacidades convierten al CY15B004Q en ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o Rapid. Los ejemplos abarcan desde la recopilación de datos, donde el número de ciclos de escritura puede ser crítico, hasta los exigentes controles industriales en los que el tiempo de escritura prolongado de la memoria flash serie o EEPROM puede causar la pérdida de datos.