RS Components
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Referência do fabricante

Memoria FRAM Cypress Semiconductor CY15V104QN-50LPXI, 8 pines, GQFN, Serie SPI, 4Mbit, 512K x 8 bits, 450 (Minimum)μs,


10 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
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Preço unitário

21,76 €

unidades

Adicionado

Opções de embalagem:
Código RS:
194-8814
Referência do fabricante:
CY15V104QN-50LPXI
Fabricante:
Cypress Semiconductor
unidadesPor unidade
1 - 921,76 €
10 - 2420,25 €
25 - 4920,04 €
50 - 9919,55 €
100 +17,09 €

Baja potencia, 4 Mbits no volatilemoria empleando un Advanced proceso ferroeléctrico. Una memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica o F-RAM no es volátil y realiza lecturas y escrituras similares a una RAM. Proporciona una retención de datos fiable durante 151 años al tiempo que elimina las complejidades, los problemas de sobrecarga y fiabilidad a nivel de sistema causados por la memoria flash serie, EEPROM y otras memorias no volátiles. No se producen retrasos en la escritura. Los datos se escriben en la matriz de memoria inmediatamente después de que cada byte se transfiera correctamente al dispositivo. El siguiente ciclo de autobús puede comenzar sin necesidad de sondeo de datos. Además, el producto ofrece una resistencia de escritura sustancial en comparación con otras memorias no volátiles. Capaz de soportar 1015 ciclos de lectura/escritura, o 1.000 millones de ciclos morewrite veces más que EEPROM. Ideal para aplicaciones de memoria no volátil que requieren escrituras frecuentes o Rapid. Proporciona ventajas sustanciales a los usuarios de EEPROM serie o flash como sustitución directa de hardware. Utiliza el bus SPI de alta velocidad, que mejora la capacidad de escritura de alta velocidad de la tecnología F-RAM.


AtributoValor
Tamaño de la Memoria4Mbit
Organización512K x 8 bits
Tipo de InterfazSerie SPI
Ancho del Bus de Datos8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo450 (Minimum)µs
Tipo de MontajeMontaje superficial
Tipo de EncapsuladoGQFN
Conteo de Pines8
Dimensiones3.28 x 3.33 x 0.5mm
Longitud3.28mm
Ancho3.33mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento1,89 V
Altura0.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
Número de Palabras512K
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima1,71 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
Número de Bits de Palabra8bit