Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM25V20A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 2Mbit, 256 k x 8 bits, 2 V a 3,6 V
- Código RS 188-5423
- Referência do fabricante FM25V20A-G
- Fabricante Cypress Semiconductor
F-RAM de Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 2 Mbits (F-RAM) organizada lógicamente como 256 K ´ 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
Retención de datos de 151 años (consulte la tabla de retención y resistencia de datos)
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
SPI muy rápido
Frecuencia de hasta 40 MHz
Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
Sofisticado esquema de protección contra escritura
Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
300 μA de corriente activa a 1 MHz
100 μA (típico) de corriente en espera
3 μA modo de reposo actual
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Paquete de cables planos dobles sin cables (DFN) de 8 pines
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
| Atributo | Valor |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 2Mbit |
| Organización | 256 k x 8 bits |
| Tipo de Interfaz | SPI |
| Ancho del Bus de Datos | 8bit |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Conteo de Pines | 8 |
| Dimensiones | 5.33 x 5.33 x 1.78mm |
| Longitud | 5.33mm |
| Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,6 V |
| Ancho | 5.33mm |
| Altura | 1.78mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
| Número de Bits de Palabra | 8bit |
| Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2 V |
| Número de Palabras | 256k |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
