RS Components
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Referência do fabricante

AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM25L04B-G, 8 pines, SOIC, SPI, 4kbit, 512 x 8 bits, 2,7 V a 3,6 V


582 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
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Preço unitário (Em Tubo de 97)

1,289 €

unidades

Adicionado

Código RS:
188-5415
Referência do fabricante:
FM25L04B-G
Fabricante:
Cypress Semiconductor
COO (País de Origem):
US
unidadesPor unidadePor Tubo*
97 - 971,289 €125,033 €
194 - 1941,155 €112,035 €
291 - 4851,144 €110,968 €
582 - 9701,117 €108,349 €
1067 +1,088 €105,536 €
*preço indicativo

F-RAM de Cypress Semiconductor


La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.


Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo


Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 4 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 512 ´ 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
Frecuencia de hasta 20 MHz
Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
Sofisticado esquema de protección contra escritura
Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
Bajo consumo
200 μA de corriente activa a 1 MHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,7 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Encapsulado DFN (sin cables planos dobles delgados de 8 pines)


FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.

AtributoValor
Tamaño de la Memoria4kbit
Organización512 x 8 bits
Tipo de InterfazSPI
Ancho del Bus de Datos8bit
Tipo de MontajeMontaje superficial
Tipo de EncapsuladoSOIC
Conteo de Pines8
Dimensiones4.97 x 3.98 x 1.48mm
Longitud4.97mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento3,6 V
Ancho3.98mm
Altura1.48mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento+85 °C
Estándar de automociónAEC-Q100
Número de Bits de Palabra8bit
Número de Palabras512
Temperatura de Funcionamiento Mínima-40 °C
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima2,7 V