AEC-Q100 Memoria FRAM Cypress Semiconductor FM24VN10-G, 8 pines, SOIC, I2C, 1Mbit, 128K x 8 bits, 2 V a 3,6 V

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 1 Mbit (F-RAM) organizada lógicamente como 128K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de dos cables (I2C)
Frecuencia de hasta 3,4 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
ID de dispositivo y Número de serie
ID de fabricante e ID de producto
Número De Serie Único (Fm24vn10)
Bajo consumo
175 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 90 μA (típ)
Corriente del modo de reposo de 5 μA (típ.)
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.