AEC-Q100 Memoria FRAM Infineon FM24CL16B-DG, 8 pines, DFN, El Cable 2 de serie, Serial-I2C, 16kbit, 2K x 8 bits,
- Código RS:
- 125-4211
- Referência do fabricante:
- FM24CL16B-DG
- Fabricante:
- Infineon
1615 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
1,452 €
Unidades | Por unidade | Por Pack* |
5 + | 1,452 € | 7,26 € |
*preço indicativo |
- Código RS:
- 125-4211
- Referência do fabricante:
- FM24CL16B-DG
- Fabricante:
- Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
FRAM, Cypress Semiconductor
La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.
Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo
Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica de 16 Kbit (F-RAM) organizada lógicamente como 2K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 1 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
Bajo consumo
100 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Paquete de cables planos dobles sin cables (DFN) de 8 pines
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz serie rápida de 2 cables (I2C)
Frecuencia de hasta 1 MHz
Sustitución directa de hardware para la memoria EEPROM serie (I2C)
Admite tiempos heredados de 100 kHz y 400 kHz
Bajo consumo
100 μA de corriente activa a 100 kHz
Corriente en espera de 3 μA (típ)
Tensión de funcionamiento: VDD = 2,7 V a 3,65 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquetes
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines
Paquete de cables planos dobles sin cables (DFN) de 8 pines
FRAM (RAM ferroeléctrica)
FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tamaño de la Memoria | 16kbit |
Organización | 2K x 8 bits |
Tipo de Interfaz | El Cable 2 de serie, Serial-I2C |
Ancho del Bus de Datos | 8bit |
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo | 3000ns |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Tipo de Encapsulado | DFN |
Conteo de Pines | 8 |
Dimensiones | 4 x 4.5 x 0.7mm |
Longitud | 4.5mm |
Ancho | 4mm |
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento | 3,65 V |
Altura | 0.7mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +85 °C |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
Estándar de automoción | AEC-Q100 |
Número de Bits de Palabra | 8bit |
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima | 2,7 V |
Número de Palabras | 2K |