Memoria FRAM Infineon FM25V01A-G, 8 pines, SOIC, SPI, 128kbit, 16k x 8 bits, 16ns, 2 V a 3,6 V

La memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) ofrece eficiencia energética y mayor fiabilidad para las RAM no volátiles, tanto para las interfaces en serie como en paralelo. Las piezas con sufijo A están diseñadas para aplicaciones de automoción y tienen aprobación AEC-Q100.

Memoria RAM ferroeléctrica no volátil
Rápida velocidad de escritura
Alta resistencia
Bajo consumo

Memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica (F-RAM) de 128 Kbit organizada lógicamente como 16K x 8
Lectura/escritura de 100 billones (1014) de alta resistencia
retención de datos de 151 años
NODELAY™ escribe
proceso ferroeléctrico advanced de alta fiabilidad
Interfaz periférica serie (SPI) muy rápida
Frecuencia de hasta 40 MHz
Sustitución directa de hardware para flash serie y EEPROM
Admite el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
Sofisticado esquema de protección contra escritura
Protección de hardware mediante el pasador De Protección contra escritura (WP)
Protección de software mediante la instrucción Write Disable (Desactivar escritura)
Protección de bloques de software para 1/4, 1/2, o toda la matriz
ID de dispositivo
ID de fabricante e ID de producto
Bajo consumo
Corriente activa de 2,5 mA a 40 MHz
Corriente en espera de 150 μA
Corriente del modo de reposo de 8-μA
Funcionamiento de baja tensión: VDD = 2,0 V a 3,6 V.
Temperatura industrial: De –40 °C a +85 °C.
Paquete de circuito integrado (SOIC) de perfil pequeño de 8 pines

FRAM (RAM ferroeléctrica)

FRAM (memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica) es una memoria no volátil que utiliza película ferroeléctrica como condensador para almacenar los datos. F-RAM posee características tanto de dispositivos ROM como RAM y presenta acceso de alta velocidad, alta resistencia en modo de escritura, bajo consumo de potencia, no es volátil y es excelente en resistencia a manipulación. Es la memoria ideal para uso en tarjetas inteligentes que necesitan alta seguridad y bajo consumo de potencia, así como en teléfonos móviles y otros dispositivos.