Placa de evaluación Driver de puerta MOSFET Infineon EB 2ED2410 3D 1BCDP - EB2ED24103D1BCDPTOBO1

Esta placa auxiliar pertenece a una familia de placas de evaluación que se pueden combinar con la placa base de evaluación 2ED2410-EM de 24 V (EB 2ED2410 3M). Estas placas auxiliares se utilizan para abordar diferentes arreglos de MOSFET y shunt que se suelen encontrar en las distribuciones de potencia de automoción modernas para redes de placa de 12 y 24 V.

Esta placa auxiliar EB 2ED2410 3D 1BCDP aborda un canal de carga y consta de dos MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm) en una configuración de drenaje común back2back. Además, la carga se puede precargar con una ruta de precarga dedicada.

•EB 2ED2410 3D 1BCS: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - fuente común, shunt de 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCD: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - drenaje común, shunt de 0,5 mOhm
•EB 2ED2410 3D 1BCSP: MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 mOhm), back2back - fuente común, shunt de 0,5 mOhm, con precarga

•Adecuado para redes de placa de 12 y 24 V
•Combinación con placa base de evaluación 2ED2410-EM de 24 V (EB 2ED2410 3M)
•Carga resistiva de 0,5 mOhm
•MOSFET de potencia OptiMOSTM5 de 60 V (1,1 ohmios) adecuado para redes de placa de 12 y 24 V
•Control de temperatura de MOSFET con resistencias NTC
•Ruta de precarga dedicada para cargas con alta capacitancia de entrada
•Corriente nominal de hasta 20 A continua o 30 A durante 10 min