IGBT, SGW30N60FKSA1, N-Canal, 41 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple

  • Código RS 911-4767
  • Referência do fabricante SGW30N60FKSA1
  • Fabricante Infineon
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Declaração de conformidade RoHS
Detalhes do produto

Transistores IGBT discretos Infineon

Los transistores IGBT discretos de Infineon ofrecen diversas tecnologías como NPT, Trenchstop™ y Fieldstop. Se pueden utilizar en muchas aplicaciones que pueden requerir conmutación dura o blanda incluidas aplicaciones industriales, SAI, inversores, electrodomésticos y cocinas de inducción. Algunos dispositivos incluyen un diodo antiparalelo o un diodo de integración monolítica.

IGBT discretos y módulos, Infineon

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Especificações
Atributo Valor
Corriente Máxima Continua del Colector 41 A
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V
Tipo de Encapsulado TO-247
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal N
Conteo de Pines 3
Configuración de transistor Simple
Dimensiones 15.9 x 5.3 x 20.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
150 Disponível para entrega em 2 dia(s) útil(eis).
Preço unitário (Em Tubo de 30)
4,438
(IVA exc.)
unidades
Por unidade
Por Tubo*
30 - 30
4,438 €
133,14 €
60 - 120
4,261 €
127,83 €
150 +
4,127 €
123,81 €
*preço indicativo