STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65FB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 829-7145P
- Referência do fabricante:
- STGWT80H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 829-7145P
- Referência do fabricante:
- STGWT80H65FB
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 120A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de colector (Ic) | 120 A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) | 650 V | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Número de pines | 3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 120A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de colector (Ic) 120 A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima (VCEO) 650 V | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Número de pines 3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tensión máxima del emisor de puerta (VGEO) 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.