IGBT, FGW75N60HD, N-Canal, 75 A, 600 V, TO-247, 3-Pines Simple
- Código RS:
- 772-9026
- Referência do fabricante:
- FGW75N60HD
- Fabricante:
- Fuji Electric
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 772-9026
- Referência do fabricante:
- FGW75N60HD
- Fabricante:
- Fuji Electric
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Discretos IGBT, Fuji Electric
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.9 x 5.03 x 20.95mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |