IGBT, IRG4PH30KPBF, N-Canal, 20 A, 1.200 V, TO-247AC, 3-Pines Simple

Los IGBT optimizados se han diseñado para aplicaciones de frecuencia media con respuesta rápida que proporcionan al usuario la mayor eficiencia posible. Estos dispositivos usan diodos FRED que se han optimizado para proporcionar el mejor rendimiento con los IGBT

Transistores IGBT, International Rectifier

International Rectifier ofrece una amplia gama de soluciones IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) desde 300 a 1200 V, basadas en diferentes tecnologías que minimizan las pérdidas por conmutación y conducción para aumentar la eficiencia, reducir problemas térmicos y mejorar la densidad de potencia. La compañía también ofrece una amplia gama de matrices IGBT diseñadas específicamente para módulos de potencia de media a alta. Para los módulos que exigen la máxima fiabilidad, las matrices de frontal de metal soldable (SFM) se pueden emplear para eliminar los cables de unión y permitir una refrigeración de doble cara para mejorar el rendimiento térmico, la fiabilidad y la eficacia.