Módulo IGBT, NXH80B120MNQ0SNG, Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6990
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Temporariamente fora de stock. Disponível a 29/10/2025, com entrega em 4 dia(s) útil(eis).
Adicionado
Preço unitário (Em tabuleiro de 24)
78,254 €
| Unidades | Por unidade | Por Tabuleiro* |
| 24 + | 78,254 € | 1 878,096 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 245-6990
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de dos canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 80 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 20 A chapado en níquel
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los MOSFET de SiC y los diodos SiC integrados proporcionan menores pérdidas de conducción y conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
MOSFET de SiC de 1200 V y 80 m.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Termistor de contactos soldables de diseño inductivo bajo
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Disipación de Potencia Máxima | 69 W |
| Número de transistores | 2 |
| Tipo de Encapsulado | Q0BOOST - Caja 180AJ (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) |
- Código RS:
- 245-6990
- Referência do fabricante:
- NXH80B120MNQ0SNG
- Fabricante:
- onsemi