Módulo IGBT, NXH450B100H4Q2F2SG, 101 A, 1.000 V, Q2BOOST - Caja 180BR (contactos de soldadura sin plomo y sin haluros) 2

EL módulo ON Semiconductor Q2BOOST es un módulo de impulso simétrico de tres canales híbrido de Si o SiC. Cada canal contiene dos IGBT de 1000 V, 150 A, dos diodos SiC de 1200 V y 30 A y dos diodos de derivación de 1600 V y 30 A. El módulo contiene un termistor NTC.

La tecnología híbrida de SiC o silicio maximiza la densidad de potencia
La baja pérdida de conmutación reduce la disipación de potencia del sistema
Diseño inductivo bajo
Opciones de encaje a presión y contacto de soldadura
Este dispositivo no contiene plomo, no contiene halógenos y es compatible con RoHS