Módulo IGBT, NXH100B120H3Q0PG, 61 A, 1.200 V, Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) 2
- Código RS:
- 245-6962
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0PG
- Fabricante:
- onsemi
22 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário
145,89 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 1 | 145,89 € |
| 2 - 3 | 143,42 € |
| 4 - 7 | 141,22 € |
| 8 - 11 | 138,75 € |
| 12 + | 136,24 € |
- Código RS:
- 245-6962
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0PG
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
El módulo DE potencia de sobrealimentación doble ON Semiconductor es un módulo de potencia que contiene una etapa de sobrealimentación doble. Los IGBT de zanja de parada de campo y diodos SiC integrados proporcionan pérdidas de conducción y conmutación más bajas, lo que permite a los diseñadores lograr alta eficiencia y fiabilidad superior.
IGBT de parada en campo Ultra de 1200 V.
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
Contactos soldables o contactos de encaje a presión
Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Diodos SiC de conmutación rápida y recuperación inversa baja
Diodos antiparalelos y de derivación de 1600 V.
Diseño inductivo bajo
Contactos soldables o contactos de encaje a presión
Opciones de termistor con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 61 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Disipación de Potencia Máxima | 186 W |
| Número de transistores | 2 |
| Tipo de Encapsulado | Contactos de encaje a presión Case 180BF (sin plomo y sin haluros) |
- Código RS:
- 245-6962
- Referência do fabricante:
- NXH100B120H3Q0PG
- Fabricante:
- onsemi