IGBT, DGTD65T50S1PT, 100 A, 200 (Pulsed) A, 650 V, TO-247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 182-6873
- Referência do fabricante:
- DGTD65T50S1PT
- Fabricante:
- DiodesZetex
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 182-6873
- Referência do fabricante:
- DGTD65T50S1PT
- Fabricante:
- DiodesZetex
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
- COO (País de Origem):
- CN
Detalhes do produto
The DGTD65T50S1PT is produced using advanced Field Stop Trench IGBT Technology, which provides excellent quality and high-switching performance.
High-Speed Switching & Low Power Loss
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A
High Input Impedance
trr = 80ns (typ) @ diF/dt = 1000A/μs
Eoff = 0.55mJ @ TC=25°C
Maximum Junction Temperature 175°C
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
UPS
Welder
Solar Inverter
IH Cooker
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A
High Input Impedance
trr = 80ns (typ) @ diF/dt = 1000A/μs
Eoff = 0.55mJ @ TC=25°C
Maximum Junction Temperature 175°C
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. “Green” Device
Applications
UPS
Welder
Solar Inverter
IH Cooker
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A, 200 (Pulsed) A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
| Número de transistores | 1 |
| Disipación de Potencia Máxima | 375 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
| Capacitancia de puerta | 4453pF |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40 °C |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +175 °C |
- Código RS:
- 182-6873
- Referência do fabricante:
- DGTD65T50S1PT
- Fabricante:
- DiodesZetex