- Código RS:
- 462-855
- Referência do fabricante:
- 2MBI150U4A-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 462-855
- Referência do fabricante:
- 2MBI150U4A-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Módulos IGBT de 2 paquetes, Fuji Electric
Field-Stop de sexta generación, serie V
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
Field-Stop de quinta generación, serie U/U4
NPT de cuarta generación, serie S
IGBT discretos y módulos, Fuji Electric
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A |
Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V |
Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V |
Disipación de Potencia Máxima | 735 W |
Configuración | Serie |
Tipo de Encapsulado | M232 |
Tipo de Montaje | Montaje en panel |
Tipo de Canal | N |
Conteo de Pines | 7 |
Configuración de transistor | Serie |
Dimensiones | 92 x 34 x 30mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
- Código RS:
- 462-855
- Referência do fabricante:
- 2MBI150U4A-120-50
- Fabricante:
- Fuji Electric