Fotodiodo de silicio Osram Opto, IR + luz visible, λ sensibilidad máx. 850nm, mont. superficial, encapsulado DIP de 2
- Código RS:
- 652-0207P
- Referência do fabricante:
- BPW 34 S-Z
- Fabricante:
- OSRAM Opto Semiconductors
3470 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua
0,946 €
| Unidades | Por unidade |
| 15 - 70 | 0,946 € |
| 75 - 370 | 0,682 € |
| 375 - 745 | 0,466 € |
| 750 + | 0,388 € |
- Código RS:
- 652-0207P
- Referência do fabricante:
- BPW 34 S-Z
- Fabricante:
- OSRAM Opto Semiconductors
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Fotodiodo PIN con encapsulado DIL
Esta familia de fotodiodos de IR, de OSRAM Opto Semiconductors, pertenece a la serie BPW 34. Se suministran en encapsulados plásticos DIL de montaje en superficie (SMD) u orificio pasante con un área sensible a la radiación de 2,65 x 2,65 mm². Los fotodiodos de infrarrojos BPW 34 están diseñados para aplicaciones con un rango de longitud de onda de hasta 1.100 nm. Entre otras aplicaciones adecuadas se incluyen: fotointerruptores, control remoto de infrarrojos y sensores para automoción, auriculares, etc.
Fotodiodos de infrarrojos, OSRAM Opto Semiconductors
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Espectros Detectados | infrarrojo, Luz Visible |
| Longitud de Onda de la Sensibilidad de Pico | 850nm |
| Encapsulado | DIP |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Función de amplificador | No |
| Número de Pines | 2 |
| Material del Diodo | Si |
| Mínima Longitud de Onda Detectada | 400nm |
| Máxima Longitud de Onda Detectada | 1100nm |
| Longitud | 4.5mm |
| Anchura | 4mm |
| Altura | 1.2mm |
| Fotosensibilidad de Pico | 0.62A/W |
| Polaridad | Inverso |