Fotodiodo de silicio Vishay, IR, λ sensibilidad máx. 840nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines

VEMD5160X01 es un fotodiodo PIN de alta sensibilidad y alta velocidad con una fotorespuesta lineal alta. Se trata de un dispositivo de montaje en superficie (SMD) de perfil bajo, incluido el chip con un área sensible de 7,5 mm2 y un filtro de bloqueo de luz diurna ajustado con emisores de infrarrojos que operan en una longitud de onda de 850 nm o 890 nm.

Tipo de encapsulado: montaje en superficie
Formato de encapsulado: vista superior
Dimensiones (Long. x Anch. x Alt. en mm): 5 x 4 x 0,9
Área sensible a radiación (en mm2): 7,5
Certificación AEC-Q101
Filtro de bloqueo de luz diurna ajustado con emisores de 850 nm a 890 nm
Alta sensibilidad radiante
Excelente linealidad Ira
Tiempos de respuesta rápidos
Ángulo de media intensidad: ϕ = ± 65 °
Vida útil del piso: 72 h, MSL 4, conforme a J-STD-020
APLICACIONES:
Fotodetector de alta velocidad
Detección de señal pequeña
Sensores de proximidad