Diodo, STPSC10H065DLF, 10A, 650V, PowerFLAT, 2-Pines

STMicroelectronics el diodo SiC es un diodo Schottky de potencia de rendimiento ultra-alto, fabricado con un sustrato de carburo de silicio. Tiene un material de separación de banda ancha que permite el diseño de una estructura de diodo Schottky con un valor nominal de 650 V. No se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento de desconexión capacitiva mínimo es independiente de la temperatura gracias a la construcción schottky.

Encapsulado de menos de 1 mm de altura
Paquete de alta edad de arrastre
Sin recuperación inversa o insignificante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Alta capacidad de transitorios directos
Tensión directa de caída muy baja
Producto de bajo consumo
Componente compatible con ECOPACK2