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Diodos Schottky y Rectificadores
Diodo, RFVS8TJ6SGC9, Recuperación rápida, 8A, 600V Conexión de silicio, 110ns, TO-220AC, 2-Pines, Diodo epitaxial de
Código RS:
183-5327
Referência do fabricante:
RFVS8TJ6SGC9
Fabricante:
ROHM
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Produto Descatalogado
Código RS:
183-5327
Referência do fabricante:
RFVS8TJ6SGC9
Fabricante:
ROHM
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Especificações
Datasheet RFVS8TJ6SGC9
Declaração de conformidade RoHS
COO (País de Origem):
KR
RFVS8TJ6S is the silicon epitaxial planar type Fast Recovery Diode for PFC.
Hyper fast recovery / Hard recovery type
Ultra low switching loss
High current overload capacity
Atributo
Valor
Tipo de Montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-220AC
Corriente Continua Máxima Directa
8A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
600V
Configuración de diodo
Simple
Tipo de Rectificador
Recuperación rápida
Tipo de Diodo
Diodo epitaxial de recuperación rápida
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
Conexión de silicio
Tiempo de Recuperación Inverso de Pico
110ns
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico
60A