AEC-Q101 Diodo, STPSC10H12GY-TR, 10A, 1200V Schottky SiC, D2PAK, 2 + Tab-Pines 2.25V, Schottky SiC

El diodo SiC, disponible en TO-220AC y D²PAK, es un rectificador Schottky de potencia de rendimiento ultraalto. Está fabricado con un sustrato de carburo de silicio. El material de separación de banda ancha permite el diseño de una estructura de diodo Schottky de VF baja con un valor nominal de 1.200 V. Gracias a la construcción Schottky, no se aprecia recuperación al apagarlo y los patrones de oscilación transitoria son insignificantes. El comportamiento de apagado capacitivo mínimo es independiente de la temperatura. Especialmente adecuado para usar en aplicaciones de lado secundario y PFC, este diodo SiC de ST impulsa el rendimiento en condiciones de conmutación difíciles. Este rectificador mejorará el rendimiento de la aplicación objetivo. Su alta capacidad de transitorios directos garantiza una buena solidez durante las fases de transitorios

Sin recuperación inversa o insignificante
Comportamiento de conmutación independiente de la temperatura
Periferia de alta tensión sólida
Capacidad PPAP
Temperatura de funcionamiento de -40 °C a 175 °C