Convertidor dc-dc BM2PDB1Y-Z

El MOSFET de conmutación integrado del CI de convertidor dc/dc PWM de tipo no aislado ROHM proporciona un sistema óptimo para todos los productos que incluyen una toma de corriente eléctrica. Permite un diseño más sencillo de un convertidor de alta eficacia especializado en no aislamiento. Gracias a un circuito de arranque integrado que tolera 650 V, este IC contribuye a un bajo consumo de potencia. Una resistencia de detección de corriente como dispositivo interno realiza los diseños de fuente de alimentación pequeña. Puesto que se utiliza un control de modo de corriente, la corriente se puede restringir en cada ciclo y se demuestra un excelente rendimiento en el ancho de banda y la respuesta a transitorios. La frecuencia de conmutación está fija a 25 kHz / 65 kHz. También hay una función de salto de frecuencia en el chip, que contribuye a una EMI baja. Además, un MOSFET de superunión integrado con una tensión de resistencia de 650 V facilita el diseño.

Método de modo de corriente PWM Función de salto de frecuencia Funcionamiento por ráfaga con carga ligera Circuito de arranque integrado de 650 V MOSFET de superunión integrado de 650 V VCC UVLO (bloqueo bajo tensión) VCC OVP (protección contra sobretensión) Función de detección de sobrecorriente por ciclo