Transistores Bipolares

Un transistor bipolar o BJT (transistor de unión bipolar) es un dispositivo de tres contactos de estado sólido fabricado con tres capas de silicio. Un BJT está diseñado para amplificar corriente; los transistores bipolares también pueden funcionar como interruptor. Hay dos tipos de transistor principales: PNP (positivo negativo positivo) o NPN (negativo positivo negativo).
¿Cómo se fabrica un transistor bipolar?
Un transistor bipolar se fabrica uniendo dos diodos de señal posteriormente para crear dos uniones PN conectadas en serie que comparten un terminal P o N. Por la naturaleza, el silicio normalmente no conduce bien la electricidad. Sin embargo, cuando se trata el silicio con determinadas sustancias químicas o impurezas, se puede conseguir que el material y los electrones se comporten de manera diferente. Este proceso se denomina dopaje. El proceso de dopaje mejora la capacidad de los semiconductores de conducir la electricidad.
¿Qué hace un transistor bipolar?
Como dijimos anteriormente, un transistor bipolar tiene dos funciones posibles: conmutación y amplificación. Gracias al material semiconductor dopado de tres capas de los dispositivos, el suministro de una señal de tensión al transistor permite al componente discreto actuar como aislante o conductor. Este cambio inteligente proporciona a los transistores dos funciones básicas: electrónica de conmutación (digital) o electrónica de amplificación (analógica).
Tipos de transistor
Los transistores están disponibles en opciones de montaje en panel, superficie y orificio pasante en versiones de encapsulado de plástico o metal. Todos tienen tres terminales o contactos, la base, el colector y el emisor.
¿Dónde se utilizan los transistores bipolares?
Los transistores son uno de los componentes discretos más usados en circuitos y diseños electrónicos. Los transistores se utilizan para la ampliación de todos los tipos de señales eléctricas en circuitos formados por componentes individuales en lugar de circuitos integrados (CI).

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Descrição Preço Tipo de Transistor Corriente DC Máxima del Colector Tensión Máxima Colector-Emisor Tipo de Encapsulado Tipo de Montaje Disipación de Potencia Máxima Configuración de transistor Tensión Base Máxima del Colector Tensión Máxima Emisor-Base Frecuencia Máxima de Funcionamiento Conteo de Pines Número de Elementos por Chip Dimensiones Temperatura Máxima de Funcionamiento
Código RS 923-1335
Referência do fabricanteHFA3127BZ
6,693 €
unitário (Em Tubo de 48)
unidades
NPN 65 mA 8 V SOIC Montaje superficial 150 mW Aislado 12 V 5,5 V 8.000 MHz 16 5 1.5 x 10 x 4mm -
Código RS 921-5942
Referência do fabricanteHFA3096BZ
3,29 €
unitário
unidades
NPN + PNP 65 mA 8 V SOIC Montaje superficial 150 mW Aislado 12 V 5,5 V 8.000 MHz 16 5 1.5 x 10 x 4mm -
Código RS 921-5428
Referência do fabricanteHFA3127BZ
8,34 €
unitário
unidades
NPN 65 mA 8 V SOIC Montaje superficial 150 mW Aislado 12 V 5,5 V 8.000 MHz 16 5 1.5 x 10 x 4mm -
Código RS 496-745
Referência do fabricanteHFA3127BZ
3,76 €
unitário
unidades
NPN 65 mA 8 V SOIC Montaje superficial 150 mW Aislado 12 V 5.5 V 8000 MHz 16 5 1.5 x 10 x 4mm -
Código RS 921-5683
Referência do fabricanteHFA3101BZ
4,12 €
unitário
unidades
NPN 30 mA 8 V SOIC Montaje superficial - Complejo 12 V 5,5 V 10000 MHz 8 6 1.5 x 5 x 4mm -
Código RS 146-2424
Referência do fabricanteHFA3096BZ
3,131 €
unitário (Em Tubo de 48)
unidades
NPN + PNP 65 mA 8 V SOIC Montaje superficial 150 mW Aislado 12 V 5,5 V 8.000 MHz 16 5 1.5 x 10 x 4mm -