Supervisores de Tensión | Parte de Circuitos Integrados de Control de Alimentación | RS
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    Supervisores de Tensión

    Los dispositivos electrónicos modernos requieren un rango de tensiones para alimentar los componentes que se encuentran en su interior, y muchos utilizan baterías como principal fuente de alimentación. Los circuitos integrados de control de alimentación permiten que cada componente funcione de manera eficiente sin agotar la batería ni reducir el tiempo necesario para cargarla. Los circuitos integrados de control de alimentación también permiten el aislamiento y la protección contra sobretensiones en los circuitos. Si se detecta una condición de baja tensión, el supervisor de tensión reiniciará el controlador. El supervisor de tensión mantiene el controlador en ese estado siempre que la condición de baja tensión persista para proteger los componentes del circuito.

    ¿Para qué se utilizan los supervisores de tensión?

    Los supervisores de tensión supervisan la tensión de un circuito. Proporcionan información sobre la batería del circuito junto con otros componentes. Los supervisores de tensión se utilizan para proteger los circuitos de dispositivos que se pueden dañar con altas tensiones o que funcionan de manera incorrecta a bajas tensiones.

    Tipos de supervisores de tensión

    Los supervisores de tensión se suministran en distintos diseños, uno de los cuales puede supervisar varios niveles de tensión. Los detectores de tensión de CMOS (semiconductores de óxido de metal complementario) son un tipo común de supervisor de tensión y están favorecidos por su eficiencia y flexibilidad en la aplicación.

    1169 resultados para Supervisores de Tensión

    Microchip
    -
    Circuito de restablecimiento de potencia
    1
    3.08V
    -
    -
    -
    -
    SOT-23
    3
    -
    -
    -
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, drenador abierto
    -
    1000ms
    Montaje superficial
    SOIC
    8
    5 x 4 x 1.5mm
    4.49 V, 4.74V
    5,5 V
    Texas Instruments
    -
    -
    1
    -
    Drenaje Abierto
    -
    -
    Montaje superficial
    SOT-23
    6
    2.9 x 1.6 x 1.15mm
    2.83V
    6,5 V
    Microchip
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, Push-Pull
    -
    2240ms
    Montaje superficial
    SOT-23
    5
    3.1 x 1.8 x 1.3mm
    2.97V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo alto, activo bajo, Push-Pull
    -
    70ms
    Montaje en orificio pasante
    PDIP
    16
    19.43 x 7.87 x 4.45mm
    4.75V
    5,5 V
    Microchip
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, drenador abierto
    -
    700ms
    Montaje superficial
    SOT-23
    3
    2.9 x 1.3 x 0.95mm
    4.5V
    5,5 V
    DiodesZetex
    -
    Monitor de restablecimiento de microprocesador
    1
    -
    Activo bajo
    -
    280ms
    Montaje superficial
    SOT-23
    3
    3 x 1.4 x 1mm
    2.66V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo alto, activo bajo, Push-Pull
    -
    280ms
    Montaje en orificio pasante
    PDIP
    8
    9.91 x 7.87 x 4.45mm
    4.75V
    5,5 V
    Microchip
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, Push-Pull
    -
    -
    Montaje superficial
    SOT-23
    3
    2.9 x 1.3 x 0.95mm
    4.75V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    Monitor de tensión
    1
    4.5V
    -
    4.25V
    -
    Montaje superficial
    SOIC
    16
    10 x 4 x 1.5mm
    5.5V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo alto, activo bajo, Push-Pull
    -
    70ms
    Montaje roscado
    Plomo Ancho SO
    16
    10.5 x 7.6 x 2.35mm
    4.75V
    5,5 V
    0,295 €
    unitário (Fornecido em múltiplos de 2)
    onsemi
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, Push-Pull
    -
    460ms
    Montaje superficial
    SOT-23
    3
    2.9 x 1.3 x 0.94mm
    3V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo Alto, activo bajo, CMOS
    -
    200ms
    Montaje superficial
    SOIC
    8
    5 x 4 x 1.5mm
    4.5V
    5,5 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, Drenador abierto, Inserción-extracción
    -
    -
    Montaje superficial
    SOT-23
    8
    3 x 1.75 x 1.3mm
    -
    5,5 V
    onsemi
    -
    -
    1
    2.8V
    -
    2.55V
    -
    Montaje superficial
    SOIC
    8
    5 x 4 x 1.5mm
    5V
    10 V
    Texas Instruments
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, drenador abierto
    -
    300ms
    Montaje superficial
    SOT-23
    5
    2.9 x 1.6 x 1.15mm
    2.99V
    6 V
    Texas Instruments
    -
    Procesador
    1
    5V
    -
    -
    -
    -
    SOT-23
    6
    -
    -
    -
    Texas Instruments
    -
    Alimentación
    1
    0.8V
    -
    -
    -
    Montaje superficial
    SOT-23
    6
    3.05 x 3.05 x 1mm
    1.7V
    36 V
    Maxim Integrated
    -
    -
    1
    -
    Activo bajo, drenador abierto
    -
    1000ms
    Montaje superficial
    SOIC
    8
    5 x 4 x 1.5mm
    4.49 V, 4.74V
    5,5 V
    onsemi
    -
    Detector de subtensión
    1
    4.7V
    -
    4.5V
    -
    Montaje en orificio pasante
    TO-92
    3
    5.2 x 4.19 x 5.33mm
    -
    6,5 V
    Resultados por página