Transistor, NST65010MW6T1G, PNP -100 mA -65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado

Código RS:: 145-4061
Referência do fabricante:: NST65010MW6T1G
Fabricante:: onsemi

Transistor, NST65010MW6T1G, PNP -100 mA -65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado

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Código RS:: 145-4061
Referência do fabricante:: NST65010MW6T1G
Fabricante:: onsemi

Dual PNP Bipolar Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	PNP
Corriente DC Máxima del Colector	-100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor	-65 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363 (SC-88)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima	380 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC	220
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Base Máxima del Colector	-80 V
Tensión Máxima Emisor-Base	-5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento	100 MHz
Conteo de Pines	6
Número de Elementos por Chip	2
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Dimensiones	2.2 x 1.35 x 1mm

Transistor, NST65010MW6T1G, PNP -100 mA -65 V Dual SOT-363 (SC-88), 6 pines, 100 MHz, Aislado

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Transistores acoplados dobles bipolares, ON Semiconductor