Par Darlington, BA12003B, NPN 60 V, Matriz 7, HFE:1000, DIP, 16 pines Emisor común

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Produto Descatalogado

Documentação Técnica

7 canales
Resistencia de entrada para limitar la corriente de base
Diodo de abrazadera de absorción de transitorios de tensión de salida

Transistores bipolares, ROHM Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Transistor	NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor	60 V
Tipo de Encapsulado	DIP
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	16
Configuración	Matriz 7
Configuración de transistor	Emisor común
Número de Elementos por Chip	7
Ganancia Mínima de Corriente DC	1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor	1,6 V
Corriente de base	1.35mA
Dimensiones	19.4 x 6.5 x 3.74mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40 °C
Ancho	6.5mm
Altura	3.74mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+85 °C
Longitud	19.4mm
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W