NVRAM Cypress Semiconductor CY14B108N-BA25XI, 48 pines, FBGA, 8Mbit, 45ns, Montaje superficial, 2,7 V a 3,6 V

El Cypress CY14B108L/CY14B108N es una RAM estática (SRAM) rápida con un elemento no volátil en cada celda de memoria. La memoria está organizada como 1024 Kbytes de 8 bits cada uno o 512 K palabras de 16 bits cada uno. Los elementos no volátiles integrados incorporan la tecnología QuantumTrap, lo que produce una memoria no volátil fiable. La SRAM proporciona un número infinito de ciclos de lectura y escritura, mientras que los datos no volátiles independientes residen en la celda QuantumTrap de alta fiabilidad. Las transferencias de datos desde la SRAM a los elementos no volátiles (la operación DE ALMACENAMIENTO) se realizan automáticamente al apagar el sistema. Al encender, los datos se restauran en la SRAM (la operación DE RECUPERACIÓN) desde la memoria no volátil. Las operaciones DE ALMACENAMIENTO y RECUPERACIÓN también están disponibles bajo control de software.