MOSFET Texas Instruments CSD23381F4, VDSS 12 V, ID 2,3 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	2,3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	12 V
Tipo de Encapsulado	PICOSTAR
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	970 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	500 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+8 V
Ancho	0.6mm
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,14 nC a 4,5 V
Longitud	1mm
Altura	0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Serie	FemtoFET