MOSFET Texas Instruments CSD16414Q5, VDSS 25 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Texas Instruments

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,6 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.3V
Disipación de Potencia Máxima	3,2 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +16 V
Longitud	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	16,6 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Ancho	5.1mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.05mm
Serie	NexFET