MOSFET Vishay SiHG30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 787-9421
- Referência do fabricante:
- SiHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Adicionado
Preço unitário
6,18 €
| Unidades | Por unidade |
| 1 - 9 | 6,18 € |
| 10 - 49 | 5,57 € |
| 50 - 99 | 5,25 € |
| 100 - 249 | 5,07 € |
| 250 + | 4,57 € |
- Código RS:
- 787-9421
- Referência do fabricante:
- SiHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor
Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).
Características
Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Nivel bajo en resistencia (RDS(on))
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Conmutación rápida
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 29 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247AC |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 125 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2V |
| Disipación de Potencia Máxima | 250 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Ancho | 5.31mm |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 15.87mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 85 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Serie | E Series |
| Altura | 20.82mm |
- Código RS:
- 787-9421
- Referência do fabricante:
- SiHG30N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay