MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2318CX RFG, VDSS 40 V, ID 3,9 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

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Documentação Técnica

Transistores MOSFET, Taiwan Semiconductor

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	62 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3V
Disipación de Potencia Máxima	1,25 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Longitud	3.1mm
Material del transistor	Si
Ancho	1.7mm
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.2mm