MOSFET Vishay SI4840BDY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 10 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 710-4736
- Referência do fabricante:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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15 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço unitário (Fornecido em múltiplos de 5)
1,736 €
| Unidades | Por unidade | Por Pack* |
| 5 - 45 | 1,736 € | 8,68 € |
| 50 - 120 | 1,632 € | 8,16 € |
| 125 - 245 | 1,474 € | 7,37 € |
| 250 - 495 | 1,388 € | 6,94 € |
| 500 + | 1,302 € | 6,51 € |
| *preço indicativo | ||
- Código RS:
- 710-4736
- Referência do fabricante:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 40 V |
| Tipo de Encapsulado | SOIC |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 9 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1560 mW |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 5mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 18,5 nC a 5 V |
| Ancho | 4mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
| Altura | 1.55mm |
- Código RS:
- 710-4736
- Referência do fabricante:
- SI4840BDY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay