- Código RS:
- 671-4770
- Referência do fabricante:
- FDA50N50
- Fabricante:
- onsemi
Produto Descatalogado
- Código RS:
- 671-4770
- Referência do fabricante:
- FDA50N50
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de canal N UniFET™, Fairchild Semiconductor
El MOSFET UniFET™ forma parte de la familia MOSFET de alta tensión de Fairchild Semiconductor. Dispone de la resistencia en funcionamiento más pequeña de los MOSFET planar, y también proporciona un rendimiento de conmutación excelente y una mayor resistencia a la energía de avalanchas. Además, el diodo ESD de fuente de compuerta interna permite al MOSFET UniFET-II™ soportar una tensión HBM de más de 2.000 V.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Los MOSFET UniFET™ son adecuados para aplicaciones de convertidor de alimentación conmutada, como la corrección del factor de potencia (PFC), display de pantalla plana (FPD), alimentación de televisores, ATX (Tecnología avanzada extendida) y balastos de lámparas electrónicos.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Especificações
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 48 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 500 V |
Tipo de Encapsulado | TO-3PN |
Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 105 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
Disipación de Potencia Máxima | 625000 mW |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Material del transistor | Si |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Longitud | 15.6mm |
Ancho | 4.8mm |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 105 nC a 10 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Altura | 19.9mm |
Serie | UniFET |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |