MOSFET onsemi NTH4L025N065SC1, VDSS 650 V, ID 99 A, TO247-4L
- Código RS:
- 254-7670P
- Referência do fabricante:
- NTH4L025N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
450 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em tubo)
18,68 €
| Unidades | Por unidade |
| 10 - 99 | 18,68 € |
| 100 - 249 | 17,83 € |
| 250 - 349 | 15,95 € |
| 350 + | 15,63 € |
- Código RS:
- 254-7670P
- Referência do fabricante:
- NTH4L025N065SC1
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
La serie NTH de ON Semiconductor de un mosfet de carburo de silicio utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, con baja resistencia de conexión y tamaño de chip compacto. Garantiza una baja capacitancia y carga de puerta. En consecuencia, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, frecuencia de funcionamiento más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y menor tamaño del sistema.
Se utiliza en telecomunicaciones, carga de puerta ultrabaja, alta velocidad de conmutación y baja capacitancia
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 99 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | TO247-4L |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
- Código RS:
- 254-7670P
- Referência do fabricante:
- NTH4L025N065SC1
- Fabricante:
- onsemi