MOSFET onsemi NTBG022N120M3S, VDSS 1.200 V, ID 58 A, D2PAK-7L
- Código RS:
- 254-7661P
- Referência do fabricante:
- NTBG022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
799 Disponível para entrega em 24/48 horas
Adicionado
Preço Unidade (fornecido em bobina) As quantidades inferiores a 150 unidades são fornecidas em uma tira contínua
20,60 €
| Unidades | Por unidade |
| 10 - 99 | 20,60 € |
| 100 - 249 | 19,67 € |
| 250 - 499 | 17,59 € |
| 500 + | 17,24 € |
- Código RS:
- 254-7661P
- Referência do fabricante:
- NTBG022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, D2PAK-7L
La serie NTB de MOSFET planares sic de ON Semiconductor está optimizada para aplicaciones de conmutación rápida con una tecnología planar que funciona de manera fiable con accionamiento de tensión de puerta negativa y apagado de picos en la puerta. Esta familia tiene un rendimiento óptimo cuando se acciona con accionamiento de puerta de 18 V, pero también funciona bien con accionamiento de puerta de 15 V.
Tensión de accionamiento de puerta de densidad de potencia mejorada probada al 100 % por avalancha de 15 V a 18 V
Especificações
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 58 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Tipo de Encapsulado | D2PAK-7L |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
- Código RS:
- 254-7661P
- Referência do fabricante:
- NTBG022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi